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本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 本书的读者包括

《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》是一本实用而优秀的关于半导体芯片理论、制造和工艺设计的书籍。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》对半导体制造工艺和所需设备的解释是基于它们所遵守的基本的物理、化学和电路的规律来进行的，以便读者无论到达世界哪个地方的洁净室，都能尽快了解所使用的工艺和设备，并知道使用哪些设备、采用何种工艺来实现他们的设计和制造目标。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指

本书围绕功率半导体器件的基本结构与原理，从培养高层次专业技术人才、不断提高器件设计水平的目标出发，系统地介绍了各种功率半导体器件的结构类型、制作工艺、工作原理、静动态特性及设计方法。内容包括功率二极管（功率PIN二极管、功率SBD、MPS）、功率晶体管（功率双极型晶体管、功率MOSFET、IGBT）、普通晶闸管及其派生器件（GTO、IGCT、MCT），并简单地介绍了功率半导体器件基础以及功率集成技

《半导体工程导论》第1章概述了半导体区别于其他固体的基本物理特性，这些特性是理解半导体器件工作原理的必要条件。第2章回顾了半导体材料，包括无机、化合物、有机半导体材料。同时，第2章也介绍了有代表性的绝缘体和导体的材料，它们是构成可以工作的半导体器件和电路所必不可少的组成部分。而这些器件和电路是在第3章概述的。第4章是关于半导体工艺的基础知识，并且用通俗的语言讨论了半导体制造中使用的方法、设备、工具

本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为11章，分别是：功率半导体的全貌、功率半导体的基本原理、各种功率半导体的原理和作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅片、功率半导体制造工艺的特点、功率半导体生产企业介绍、硅基功率半导体的发展、挑战硅极限的碳化硅与氮化镓、功率半导体开拓的碳减排时代。 本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体

《芯跳不止：中国半导体产业的奋进之路与未来图景》以时间为轴，全面梳理了中国半导体产业的发展历程，囊括了从新中国成立初期“中国芯”的艰难起步，到全面发展时期产业体系的构建，再到全球格局下的突围等内容。全书共四篇：第1篇全面呈现新中国成立初期我国半导体产业那段从无到有的拓荒岁月；第2篇记录了我国半导体产业从技术引进到自主探索的双线征程；第3篇将视野投向全球市场，在竞争与合作中寻找自主发展之路；第4篇聚

　　《半导体器件基础》是一本微电子技术方面的入门书籍，全面介绍了半导体器件的基础知识。全书分为三个部分共19章，首先介绍了半导体基础，讲解了半导体物理方面的相关知识及半导体制备工艺方面的基本概念。书中阐述了pn结、双极结型晶体管（BJT）和其他结型器件的基本物理特性，并给出了相关特性的定性与定量分析。最后讨论了场效应器件，除了讲解基础知识，还分析了小尺寸器件相关的物理问题，并介绍了一些新型场效应器

本书沿半导体全产业链的发展历程，分基础、应用与制造三条主线展开。其中，基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始，逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开，并介绍了相应的半导体材料与设备。 三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够沿着历史的足迹，与读者一道在浮光掠影中领略半导体产业之全貌。 本书大部分内容以

第1章 导论 1.1 集成电路发展历史 1.1.1 世界上第一个晶体 1.1.2 世界上第一个集成电路芯片 1.1.3 摩尔定律 1.1.4 图形尺寸和晶圆尺寸 1.1.5 集成电路发展节点 1.1.6 摩尔定律或超摩尔定律 1.2 集成电路发展回顾 1.2.1 材料制备 1.2.2 半导体工艺设备 1.2.3 测量和测试工具 1.2.4 晶圆生产 1.2.5 电路设计 1.2.6 光刻版的制造

全书分上、下两篇。上篇主要介绍了注塑模具结构设计的基础知识、设计原则和要求，具体包括注塑模具设计概况、分类及基本结构、模架与结构件设计、注塑模导向与定位结构、注塑模具成型零件、浇注系统、热流道模具、温控系统、排气系统、分型与抽芯机构、斜顶机构、脱模机构的设计、模具钢材的需用以及模具企业标准化管理等；下篇主要介绍了专用注塑模具（精密模具、气辅模具、吹塑模具）的结构和特点、模具加工、模具装配、试模、质

本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理最有效的图，其实是能带图。全书共7章，包括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和超大规模集成电路器件。在本书最后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼

图解入门——半导体元器件精讲 本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理最有效的图，其实是能带图。全书共7章，包括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和超大规模集成电路器件。在本书最后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、M