半导体材料科学
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超低功耗半导体器件与技术
本书专注于探讨未来超低功耗电子设备所需的半导体器件及相关技术，深入分析了半导体技术在物联网、人工智能等前沿领域所面临的挑战与创新发展方向。首先，书中详尽介绍了纳米级CMOS技术晶体管的演进过程，细致剖析了FinFET等新型结构的优势与局限性，并探讨了负电容场效应晶体管（NCFET）、隧道场效应晶体管（TFET）等先进器件的原理及其性能。随后，围绕碳纳米管、石墨烯等二维材料及其在TFET中的应用展开
宽禁带半导体功率器件 材料、物理、设计及应用
本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。 本书适合从事第三代半导体SiC和GaN方面相关工作的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为
宽禁带功率半导体封装 材料、元件和可靠性
本书是国外学者们对宽禁带半导体封装技术和趋势的及时总结。首先，对宽禁带功率器件的发展趋势做了总结和预演判断，讲述宽禁带功率半导体的基本原理和特性，包括其独特的物理和化学属性，以及它们在极端环境下的潜在优势。接着介绍封装材料的选择和特性，分别就互连技术和衬底展开论述，同时，介绍了磁性材料，并对不同材料结构的热性能，以及冷却技术和散热器设计进行了介绍。然后，考虑到功率器件的质量必须通过各种测试和可靠性
氮化物半导体技术 功率电子和光电子器件
本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。<br>本书具有较好的指导性和借鉴性，可作为功率电子和光电子器件领域研究人员和工程人员的参考用书。
半导体薄膜技术与物理（第三版）
本书全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础，全书共分十一章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸镀、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，第十一章介绍了溶液法技术及发光器件的制备。 本书文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深
半导体材料
“半导体材料”属于材料科学与工程专业的专业课，涉及材料科学与半导体物理及技术等多学科的交叉领域。半导体材料是应用微电子和光电子技术的基础，是推动现代信息技术蓬勃发展的关键元素。《半导体材料》的内容包括半导体材料概述，半导体材料的结构、特性及理论基础，半导体材料的主要制备方法及工艺技术，半导体材料的杂质、缺陷及其导电机制，半导体器件应用及纳米半导体材料等。
半导体工厂：设备、材料、制程及提升产业复兴的处方签
依据出版物管理条例，已对该图书进行适当的合规涂改处理，不影响整体阅读，不接受以该原因为由的超七天无理由退款申请，介意者慎拍 半導體工廠：設備、材料、製程及提升產業復興的處方籤 半導体工場のすべて 作者： 菊地正典 譯者：龔恬永 出版社：世茂 出版日期：2016/12/02 語言：繁體中文 ISBN：9789869349185 叢書系列：科學視界 規格：平裝 / 240頁 / 25k正 / 14.8
半导体光电材料与器件
《半导体光电材料与器件》系统性地介绍了半导体光电材料的基础理论、制备方法、表征技术及其在光电器件中的应用。书中重点探讨了石墨烯、二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）等二维材料以及硅基材料的光电特性与器件物理。 在材料科学方面，《半导体光电材料与器件》深入分析了二维材料的能带结构调控、激子效应、载流子输运特性等关键物理性质，并特别关注材料缺陷工程对光电性能的影响。对于硅基材料，着重讨论
半导体材料与器件表征（第3版）
本书第3版完全囊括了该领域的新发展现状，并包括了新的教学手段，以帮助读者能更好地理解。第3版不仅阐述了所有新的测量技术，而且检验了现有技术的新解释和新应用。 本书仍然是专门用于半导体材料与器件测量表征技术的教科书。覆盖范围包括全方位的电气和光学表征方法，包括更专业化的化学和物理技术。熟悉前两个版本的读者会发现一个彻底修订和更新的第3版，包括： 反映新数据和信息的更新及订正图表和实例
功率半导体器件 原理、特性和可靠性（原书第2版）
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率
半导体材料（第四版）
《半导体材料（第四版）》介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。《半导体材料（第四版）》共13章：第1章为硅和锗的化学制备，第2章为区熔提纯，第3章为晶体生长，第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷，第5章为硅外延生长，第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长，第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体，第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，第10章为低维结构半