半导体物理与器件

本书沿半导体全产业链的发展历程，分基础、应用与制造三条主线展开。其中，基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始，逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开，并介绍了相应的半导体材料与设备。 三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够沿着历史的足迹，与读者一道在浮光掠影中领略半导体产业之全貌。 本书大部分内容以

第1章 导论 1.1 集成电路发展历史 1.1.1 世界上第一个晶体 1.1.2 世界上第一个集成电路芯片 1.1.3 摩尔定律 1.1.4 图形尺寸和晶圆尺寸 1.1.5 集成电路发展节点 1.1.6 摩尔定律或超摩尔定律 1.2 集成电路发展回顾 1.2.1 材料制备 1.2.2 半导体工艺设备 1.2.3 测量和测试工具 1.2.4 晶圆生产 1.2.5 电路设计 1.2.6 光刻版的制造

本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理最有效的图，其实是能带图。全书共7章，包括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和超大规模集成电路器件。在本书最后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼